lNVSc1 Chemically Competent Cell  酵母感受態(tài)細(xì)胞

基因型：

MATa his3Δ1 leu2 trp1-289 ura3-52/MATα his3Δ1 leu2trp1-289 ura3-52

簡要說明：

INVSc1菌株是專門用來做重組蛋白表達(dá)的宿主酵母，pYES2質(zhì)粒與INVSc1酵母配套使用，激活pYES2質(zhì)粒的GAL1啟動子的轉(zhuǎn)錄進(jìn)而啟動下游重組蛋白的表達(dá)。INVSc1為合子型，可直接通過PEG/LiAc將pYES2質(zhì)粒轉(zhuǎn)化進(jìn)入INVSc1細(xì)胞內(nèi)。質(zhì)粒pYES2的篩選標(biāo)志為URA，可用SD-URA板進(jìn)行篩選。INVSc1感受態(tài)細(xì)胞經(jīng)特殊工藝制作，pYES2質(zhì)粒檢測轉(zhuǎn)化效率>104 cfu/μg DNA。

操作說明：

1. 取pBait-AbAi質(zhì)粒5µg，BstBI或 BbsI酶切1h，回收；

2. 取一支無菌的1.5ml EP管，依次加入預(yù)冷的預(yù)冷的線性pBait-AbAi質(zhì)粒1-5 µg（體積不高于15 µl），Carrier DNA(95-100 度5min 快速冰浴，重復(fù)一次)10µl，100µl冰上融化的Y1HGold感受態(tài)細(xì)胞，PEG/LiAc 500µl，輕輕翻轉(zhuǎn)混勻6-8次；

3. 30℃水浴30min，每10min輕輕翻轉(zhuǎn)混勻6-8次；

4. 每支加入20µl的二甲基亞砜（用以提高轉(zhuǎn)化效率，可不做）；

5. 42℃水浴15min，每5min輕輕翻轉(zhuǎn)混勻6-8次；

6. 12000rpm瞬時離心棄上清，每支加入1ml的YPD Plus（YPDA）于30℃復(fù)蘇1h（用以提高轉(zhuǎn)化效率，可不做）；

7. 12000rpm瞬時離心棄上清，用100µl 0.9% NaCl重懸，涂板，30℃培養(yǎng)48-96h。

注意事項：

1.PEG在低溫下易析出，請在常溫下wan全溶解后使用。

2.轉(zhuǎn)化高濃度的質(zhì)粒可相應(yīng)減少最終用于涂板的菌量。

3.同時轉(zhuǎn)化2-3種質(zhì)粒時可增加質(zhì)粒的用量。

4.Y1HGold酵母菌株對高溫敏感，最適生長溫度為27-30℃；高于31℃，生長速度和轉(zhuǎn)化效率呈指數(shù)下降。

5.菌落變粉不是污染，是酵母細(xì)胞生長中一個常見現(xiàn)象。當(dāng)細(xì)胞在平板培養(yǎng)幾天后，平板上的Adenine被酵母消耗完畢，酵母試圖通過自身代謝途徑合成Adenine以供利用，然而，Y1HGold的ADE2基因被破壞，Adenine合成途徑受阻；又由于其ADE4,5,6,7,8基因均正常，所以造成中間產(chǎn)物P-ribosylaminoimidazole（AIR）在細(xì)胞中積累而使菌落變?yōu)榉奂t色。

6.酵母在缺陷培養(yǎng)基中生長速度比YPDA培養(yǎng)基慢，培養(yǎng)基中缺陷成分越多，生長越慢，以轉(zhuǎn)化涂板為例：涂YPDA平板29℃，48h培養(yǎng)可見直徑1mm克隆；涂SD單缺平板29℃，48-60h培養(yǎng)可見直徑1mm克隆，涂SD雙缺平板29℃，60-80h培養(yǎng)可見直徑1mm克隆，涂SD三缺或四缺平板平板29℃，80-90h培養(yǎng)可見直徑1mm克隆。